中子嬗变掺杂直拉硅的退火工艺
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种中子■变掺杂直拉硅的退火工艺，其工序是：将自然直拉硅单晶进行中子■变掺杂，清洗处理后，送入经过清洗处理的高温扩散炉内进行热退火，该工艺可与器件制造中的热工序结合，因此可以大大节省工时和能耗。经过此工艺处理的硅单晶可得到真实的少子寿命和准确的目标电阻率。用此硅片制备电子元器件，成品率和电参数均可大大提高。因此，可广泛用于中子■变掺杂直拉硅的热处理。
基本信息
专利标题 ：
中子嬗变掺杂直拉硅的退火工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1036049A
申请号 ：
CN88101669.1
公开（公告）日 ：
1989-10-04
申请日 ：
1988-03-26
授权号 ：
CN1010038B
授权日 ：
1990-10-17
发明人 ：
徐岳生张维连任丙彦林秀俊鞠玉林吕淑求崔德升
申请人 ：
河北工学院
申请人地址 ：
天津市红桥区丁字沽一号路
代理机构 ：
天津市机械工业管理局专利事务所
代理人 ：
李国茹
优先权 ：
CN88101669.1
主分类号 ：
C30B33/02
IPC分类号 ：
C30B33/02 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B33/00
单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的后处理
C30B33/02
热处理
法律状态
1998-05-20 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1991-10-16 ：
授权
1990-10-17 ：
审定
1989-10-04 ：
公开
1988-10-26 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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