中子检测装置和中子成像传感器
授权
摘要
本发明提供一种可通过简单的装置结构变更来设定灵敏度和时间分辨能力的中子检测装置。具备多个中子检测元件部，该中子检测元件部具有：超导元件(20)，其具有至少一个表面由电介质材料(11)形成的基体材料(10)、在表面上形成的超导材料的带状线(2)、以及在带状线(2)的两端部分形成的电极部(1)；电阻测定单元，利用带状线(2)的电阻值的变化来测定因带状线(2)中的超导元素与中子的核反应引起的发热；以及散热设定单元(5)，在与形成有带状线(2)的表面相反一侧的基体材料的背面部，设定由核反应引起的发热的散热性，在中子检测元件部之间，使散热性互不相同。
基本信息
专利标题 ：
中子检测装置和中子成像传感器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101171530A
申请号 ：
CN200680015600.9
公开（公告）日 ：
2008-04-30
申请日 ：
2006-03-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
佐藤和朗四谷任石田武和三木茂人
申请人 ：
独立行政法人科学技术振兴机构;公立大学法人大阪府立大学
申请人地址 ：
日本埼玉县
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
浦柏明
优先权 ：
CN200680015600.9
主分类号 ：
G01T3/04
IPC分类号 ：
G01T3/04 H01L39/00 G01T1/26
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01T
核辐射或X射线辐射的测量
G01T3/00
中子辐射的测量
G01T3/04
用量热器
法律状态
2011-01-05 ：
授权
2008-06-25 ：
实质审查的生效
2008-04-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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