成像传感器

授权

摘要

本公开的各实施例涉及成像传感器。一种成像传感器，包括像素阵列，该像素阵列包含光电二极管，光电二极管通过全厚度深沟槽隔离而彼此隔离。在逐行的基础上，行控制电路装置控制像素阵列的哪些行在成像模式中操作以及像素阵列的哪些行在能量收集模式中操作。开关电路装置选择性地将在能量收集模式中操作的成行的光电二极管的不同组连接成在电压输出线和接地线之间的正向偏置串联配置，或连接成在电压输出线和接地线之间的正向偏置并联配置。根据本公开的实施例，提供了改进的能量收集设备。

基本信息

专利标题：

成像传感器

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202022138976.9

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-09-25

授权号：

CN212752434U

授权日：

2021-03-19

发明人：

F·卡克林J·M·雷诺

申请人：

意法半导体(R&D)有限公司

申请人地址：

马洛

代理机构：

北京市金杜律师事务所

代理人：

董莘

优先权：

CN202022138976.9

主分类号：

H04N5/374

IPC分类号：

H04N5/374