图像传感器及深度成像系统
公开
摘要
本发明提供一种图像传感器及深度成像系统，所述图像传感器包括：负电极层，形成于驱动层中；N区层，对应形成于所述负电极层表面，包含由半导体材料形成的若干圆柱状结构；光吸收层，对应形成于所述N区层表面，至少包含由量子点半导体材料形成的P区层；正电极层，对应形成于所述光吸收层表面，接收入射光束。本发明中图像传感器中光吸收层中包含量子点半导体材料，能够明显提升Time of Flight(TOF)深度成像系统的探测距离与精度。
基本信息
专利标题 ：
图像传感器及深度成像系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114520238A
申请号 ：
CN202011302419.4
公开（公告）日 ：
2022-05-20
申请日 ：
2020-11-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
徐华兵倪强王刚陈楚毅郑发耀徐达刘明佩
申请人 ：
瑞芯微电子股份有限公司
申请人地址 ：
福建省福州市鼓楼区软件大道89号18号楼
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
庞红芳
优先权 ：
CN202011302419.4
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146
法律状态
2022-05-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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