深度兼图像传感器器件及制作方法、深度兼图像传感器芯片
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种深度兼图像传感器器件及制作方法、深度兼图像传感器芯片。深度兼图像传感器器件包括：第一晶圆，其用于平面成像；第二晶圆，其用于深度成像；逻辑晶圆；所述第一晶圆获得的所述平面成像的信息和所述第二晶圆获得的所述深度成像的信息均由所述逻辑晶圆运算处理；所述第一晶圆与所述第二晶圆键合，且所述第二晶圆与所述逻辑晶圆键合。本发明将检测平面图像信息的第一芯片和检测深度信息的第二芯片集成在一个单颗器件中(形成一体式结构)，提高了集成度，能够通过单颗器件同时探测图像信息和深度信息，降低器件面积和用该器件制成的摄像头模组的体积。
基本信息
专利标题 ：
深度兼图像传感器器件及制作方法、深度兼图像传感器芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284306A
申请号 ：
CN202111539755.5
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郭晓超
申请人 ：
武汉新芯集成电路制造有限公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号
代理机构 ：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
田婷
优先权 ：
CN202111539755.5
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146 H04N5/369
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/146
申请日 : 20211215
申请日 : 20211215
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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