一种CMOS图像传感器制作方法
公开
摘要
本发明公开了一种CMOS图像传感器制作方法，于具有第一导电类型的衬底上制作第一硬掩模层，并对第一硬掩模层开窗，形成第一宽度的沟槽；在沟槽内制作宽度为第二宽度的第二硬掩模层，第一宽度大于第二宽度，且第二硬掩模层完全位于沟槽内；对第二硬掩模层先掺入具有第二导电类型的杂质而后进行刻蚀工艺，使得第二硬掩模层的宽度即第二宽度变小；重复对第二硬掩模层先掺杂质而后进行刻蚀工艺步骤，直至第二硬掩模层被完全刻蚀，形成具有第二导电类型且掺杂浓度、梯度不同的多个子感光区。制作光电二极管的多浓度梯度的感光区域最多花费两块掩模版，极大地节约了制造成本，且工艺流程简单，适用于工业上的量产化生产。
基本信息
专利标题 ：
一种CMOS图像传感器制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628416A
申请号 ：
CN202011588663.1
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2020-12-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
田茂唐娟黄晓橹张舒
申请人 ：
联合微电子中心有限责任公司
申请人地址 ：
重庆市沙坪坝区西园一路28号附2号
代理机构 ：
江苏坤象律师事务所
代理人 ：
赵新民
优先权 ：
CN202011588663.1
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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