一种图像传感器结构及其制作方法和工作时序
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种图像传感器结构及其制作方法和工作时序，自像素中心向四周依次为复位晶体管源极、复位晶体管栅极、浮置扩散节点、第二转移晶体管栅极、氧化层隔离、第一转移晶体管栅极、深P阱；浮置扩散节点和复位晶体管源极设于复位晶体管栅极两侧硅的N+注入层中；第一转移晶体管栅极之下由浅到深依次为：浅P阱、次P阱、光电二极管；在第二转移晶体管栅极和复位晶体管栅极之下设有将浮置扩散节点和复位晶体管源极与光电二极管、浅P阱和次P阱隔离开的深P阱。第一转移晶体管为结型场效应晶体管，第二转移晶体管为CMOS晶体管。将结型场效应晶体管JEFT和CMOS的两种栅极同时应用在转移栅极之上，JEFT的栅极结构可以防止转移出的电子回流到PD中造成图像拖尾等噪声，既增大了像素面积而且每个像素都有单独的读出电路避免信号串扰。
基本信息
专利标题 ：
一种图像传感器结构及其制作方法和工作时序
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114267693A
申请号 ：
CN202111579264.3
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2021-12-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
伍建华陈杰旷章曲陈多金王菁龚雨琛刘志碧马士杰程超
申请人 ：
上海韦尔半导体股份有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区上科路88号豪威科技园
代理机构 ：
北京凯特来知识产权代理有限公司
代理人 ：
郑立明
优先权 ：
CN202111579264.3
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146 H04N5/374
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/146
申请日 : 20211222
申请日 : 20211222
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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