图像传感器及其制作方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种图像传感器及其制作方法，制作方法包括：提供基底，所述基底上方依次形成有像素单元和覆盖所述像素单元的层间介质层，所述层间介质层的表面形成有金属层，所述金属层在所述基底上的投影与所述像素单元不重合；形成覆盖所述层间介质层和所述金属层的保护层；刻蚀所述保护层和所述层间介质层，形成位于所述像素单元上方的沟槽。沟槽位于像素单元的正上方，正面光线由于像素单元上方的膜层厚度减薄，使感光强度增加，让更多光线进入像素单元，即光透过率增加，提高了图像传感器的感光强度。
基本信息
专利标题 ：
图像传感器及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388548A
申请号 ：
CN202210292216.4
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2022-03-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
都智马忠祥龚柏铧谢荣源
申请人 ：
晶芯成（北京）科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区北京经济技术开发区科创十三街29号院一区2号楼13层1302-C54
代理机构 ：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹廷廷
优先权 ：
CN202210292216.4
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/146
申请日 : 20220324
申请日 : 20220324
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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