用于红外图像传感器的新型像素结构及制作方法
公开
摘要
本发明涉及一种用于红外图像传感器的新型像素结构，包括步骤：有源区光刻定位；浅沟道处绝缘隔离槽STI形成；N阱和P阱形成；栅极的形成；浅掺杂漏区LDD形成；栅极侧壁形成；新型像素结构的源区和漏区形成；金属连线和钝化层覆盖。本发明的有益效果是：本发明采用石墨烯作为光敏材料，因为石墨烯中的热电子散射和倍增作用，以及其零带隙的能带结构，石墨烯材质的光敏材料可以发生光电响应，并且能响应非常宽的波长；本发明以低成本，简化的工艺，优化现有红外图像传感器，使硅CMOS图像传感器的响应波长在近红外拓展至更远，并且使响应波长电致可调。
基本信息
专利标题 ：
用于红外图像传感器的新型像素结构及制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613795A
申请号 ：
CN202210277241.5
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2022-03-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杜思超谢浩尹居鑫孙云蕾汪秋婷刘泓戚伟肖铎
申请人 ：
浙大城市学院
申请人地址 ：
浙江省杭州市拱墅区湖州街51号
代理机构 ：
杭州九洲专利事务所有限公司
代理人 ：
张羽振
优先权 ：
CN202210277241.5
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146 G01J5/10 H04N5/374 H04N5/378
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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