制造平面双栅晶体管的方法

专利权的终止

摘要

选择性地刻蚀夹置在上氮化硅层(SiN)(20)和位于厚的氧化物层(BOX)(12)上面的硅锗层(SiGe)(14)之间的硅层(16)，以留下具有设置栅极长度的宽度的堆叠。在SiGe层(14)上形成侧壁绝缘层(28)，并保留Si层(16)的侧壁暴露着。从暴露的硅侧壁(16)外延生长硅(30，32)，以形成原位掺杂硅源极/漏极区(30，32)。使用源极/漏极区(30)作为上栅极位置的边界而去除氮化物层(20)。用电介质(36)涂敷源极/漏极区(30，32)。去除SiGe层(14)，以提供下栅极位置(46)。将上和下栅极位置(46)填入金属，以形成晶体管(10)的上和下栅极(50)。

基本信息

专利标题：

制造平面双栅晶体管的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101103437A

申请号：

CN200580044072.5

公开（公告）日：

2008-01-09

申请日：

2005-12-14

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

马瑞斯·K·奥罗斯基

申请人：

飞思卡尔半导体公司

申请人地址：

美国得克萨斯

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

康建峰

优先权：

CN200580044072.5

主分类号：

H01L21/00

IPC分类号：

H01L21/00