一种改善击穿特性的平面栅双极型晶体管结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种改善击穿特性的平面栅双极型晶体管结构，包括半导体衬底、栅氧化层、多晶硅栅极、浮空栅极场板、发射极电极、FOX区、JFET区、二氧化硅绝缘介质层、N+发射极区、P型基区、P+深阱区、P型集电极区以及集电极，浮空栅极场板与多晶硅栅极相连，并在器件表面跨过栅极的上方延伸至JFET区上方。本实用新型通过设置半导体衬底、栅氧化层、多晶硅栅极、浮空栅极场板、发射极电极、FOX区、JFET区、二氧化硅绝缘介质层、N+发射极区、P型基区、P型集电极区和集电极的相互配合，达到了击穿特性好的优点，解决了现有的平面栅双极型晶体管结构击穿特性差的问题，方便了人们使用，提高了平面栅双极型晶体管结构的实用性。
基本信息
专利标题 ：
一种改善击穿特性的平面栅双极型晶体管结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921552313.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-18
授权号 ：
CN210607265U
授权日 ：
2020-05-22
发明人 ：
阳平
申请人 ：
上海擎茂微电子科技有限公司
申请人地址 ：
上海市闵行区紫星路588号2幢1169室
代理机构 ：
温州知远专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
汤时达
优先权 ：
CN201921552313.2
主分类号 ：
H01L29/739
IPC分类号 ：
H01L29/739 H01L29/06
法律状态
2020-05-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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