一种可检测击穿电压的双极型晶体管制造装置
公开
摘要

本发明属于电子元件生产领域,尤其是一种可检测击穿电压的双极型晶体管制造装置,针对现有的双极型晶体管在生产过程中,没有设置相关的击穿检测装置,还需人工进行检测,比较浪费时间,使得生产效率低下的问题,现提出如下方案,其包括底座,所述底座的顶部固定安装有安装架,且安装架的顶部固定安装有放置罩,所述放置罩内设有晶体管,所述安装架的顶部内壁上对称固定安装有插接组件,且插接组件的数量为两个,本发明通过对晶体管进行卡装定位,之后可对晶体管进行正向和反向电流测试,以此能够对晶体管进行性能测试和逆向击穿测试,因此相较于传统的检测方式,本技术方案具有良好的方便性,因此能够提高晶体管的生产效率。

基本信息
专利标题 :
一种可检测击穿电压的双极型晶体管制造装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114609499A
申请号 :
CN202210175725.9
公开(公告)日 :
2022-06-10
申请日 :
2022-02-25
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
程万坡张兴杰王荣元
申请人 :
江苏韦达半导体有限公司
申请人地址 :
江苏省扬州市维扬经济开发区科技园路8号8
代理机构 :
北京康达联禾知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
何浩
优先权 :
CN202210175725.9
主分类号 :
G01R31/26
IPC分类号 :
G01R31/26  H01L21/66  H01L21/68  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01R
测量电变量;测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2022-06-10 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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