平面型IGBT器件米勒电容的绝缘栅双极型晶体管
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摘要
平面型IGBT器件米勒电容的绝缘栅双极型晶体管。本实用新型涉及一种栅控电压驱动型功率半导体器件，尤其涉及平面型IGBT器件米勒电容的绝缘栅双极型晶体管。提供了一种不影响器件导通压降的前提下从而有效的减小米勒电容的平面型IGBT器件米勒电容的绝缘栅双极型晶体管。本实用新型通过增加一张光罩结合氮元素注入工艺，实现在栅极下方部分区域（宽度5um~10um）形成厚度较厚（大于2000A）的栅氧层，从而有效的减小米勒电容。栅极下方其余区域仍为常规栅氧厚度（1200A），这部分区域刚好是电子电流和和空穴电流流经的途径。从而在不影响器件导通压降的前提下，仅降低器件米勒（Miller）电容。本实用新型具有不影响器件导通压降的前提下从而有效的减小米勒电容等特点。
基本信息
专利标题 ：
平面型IGBT器件米勒电容的绝缘栅双极型晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022422950.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-27
授权号 ：
CN213071147U
授权日 ：
2021-04-27
发明人 ：
周倩
申请人 ：
上海菱芯半导体技术有限公司
申请人地址 ：
上海市中国（上海）自由贸易试验区盛夏路560号902C-3室
代理机构 ：
扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
郭翔
优先权 ：
CN202022422950.7
主分类号 ：
H01L29/739
IPC分类号 ：
H01L29/739 H01L29/423 H01L21/331
法律状态
2021-04-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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