低EMI噪声的绝缘栅双极型晶体管器件结构

授权

摘要

本实用新型涉及功率半导体器件领域，具体涉及一种低EMI噪声的绝缘栅双极型晶体管器件结构。包括依次层叠设置的P型集电极、N型缓冲层和N型外延层；从N型外延层上表面向下形成第一P型体区，在第一P型体区上设有重掺杂的N型发射区；在位于第一P型体区内侧的N型外延层中设有栅极沟槽；位于相邻两个栅极沟槽之间的N型外延层中设有发射极沟槽；在栅极沟槽和发射极沟槽中设置第一氧化层并填充多晶硅，分别形成栅极结构和发射极结构；在发射极结构周围设置第二P型体区，第二P型体区与发射极结构耦合；栅极结构和N型外延层的上表面设有第二氧化层，第二氧化层上设有发射极金属。本实用新型能避免IGBT器件开启过程中给系统带来的EMI问题。

基本信息

专利标题：

低EMI噪声的绝缘栅双极型晶体管器件结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020258409.4

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-03-05

授权号：

CN211350660U

授权日：

2020-08-25

发明人：

朱袁正杨卓黄薛佺

申请人：

无锡新洁能股份有限公司

申请人地址：

江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号（与华清路交叉口）无锡（滨湖）国家信息传感中心-B1楼东侧2楼

代理机构：

无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)

代理人：

曹祖良

优先权：

CN202020258409.4

主分类号：

H01L29/739

IPC分类号：

H01L29/739 H01L29/06 H01L21/331