连接结构、绝缘栅双极型晶体管模块和设备

授权

摘要

本实用新型公开了一种连接结构、绝缘栅双极型晶体管模块和设备。本实用新型设置填充层于第二表面与安装槽的内壁面之间，并与第二表面以及安装槽的内壁面接触，且填充层包括液体金属和相变材料中的至少一种，使得当芯片发热而温度升高，从而导致底板的温度升高而产生膨胀时，底板膨胀产生的应力有至少一部分被填充层所吸收，使得底板膨胀产生的应力不会全部传递至陶瓷覆铜板，由此减小陶瓷覆铜板所受到的应力，使得陶瓷覆铜板不容易损坏且减少与底板之间出现缝隙导致散热效果降低的可能性，通过填充层能够维持陶瓷覆铜板与底板之间良好的热接触，保证散热效果，可广泛应用于封装技术领域。

基本信息

专利标题：

连接结构、绝缘栅双极型晶体管模块和设备

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021295386.0

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-07-02

授权号：

CN213278069U

授权日：

2021-05-25

发明人：

王咏闫鹏修

申请人：

广东芯聚能半导体有限公司

申请人地址：

广东省广州市南沙区南沙街道南林路一巷73号之四103房

代理机构：

广州嘉权专利商标事务所有限公司

代理人：

黎扬鹏

优先权：

CN202021295386.0

主分类号：

H01L23/14

IPC分类号：

H01L23/14 H01L23/15 H01L23/373 H01L29/739