一种减小MOS晶体管反窄沟道效应的方法
发明专利申请公布后的驳回
摘要
本发明公开了一种减小MOS晶体管反窄沟道效应的方法，在对整个MOS场效应管区域进行阈值电压离子注入的基础上，增加一次阈值电压调节离子注入步骤：首先确定增加一次阈值电压调节离子注入注入区域，即MOS场效应管宽度(W)方向的两端靠近浅沟道隔离区的硅区域边缘部分(a)；然后制作用于增加一次阈值电压调节离子注入步骤的光刻板；最后进行流片，即在原有阈值电压调节离子注入步骤后，进行所述的增加一次阈值电压调节离子注入以及其前后的光刻和去胶。本发明方法可有效改善MOS场效应管的反窄沟道效应。
基本信息
专利标题 ：
一种减小MOS晶体管反窄沟道效应的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1979782A
申请号 ：
CN200510111283.8
公开（公告）日 ：
2007-06-13
申请日 ：
2005-12-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
伍宏陈晓波
申请人 ：
上海华虹NEC电子有限公司
申请人地址 ：
201206上海市浦东新区川桥路1188号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
丁纪铁
优先权 ：
CN200510111283.8
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L21/266
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2009-05-06 ：
发明专利申请公布后的驳回
2007-08-08 ：
实质审查的生效
2007-06-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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