具有减小的密勒电容的MOS栅控晶体管
专利权的终止
摘要
在本发明的一个实施例中，沟槽MOS栅控晶体管包括：第一导电类型的第一区，其与第二导电类型的阱区形成pn结。阱区具有平坦底部和延伸深于平坦底部的部分。栅极沟槽延伸进阱区。沟道区沿栅极沟槽的外部侧壁在阱区中延伸。栅极沟槽具有终止在第一区内的第一底部和终止在阱区的更深部分内的第二底部，使得当晶体管处于导通状态时，阱区的更深部分防止电流流过直接位于阱区更深部分上的那些沟道区部分。
基本信息
专利标题 ：
具有减小的密勒电容的MOS栅控晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101091258A
申请号 ：
CN200580034315.7
公开（公告）日 ：
2007-12-19
申请日 ：
2005-10-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
普拉韦恩·穆拉利德哈伦·谢诺克里斯多佛·博古斯洛·科库
申请人 ：
飞兆半导体公司
申请人地址 ：
美国缅因州
代理机构 ：
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
余刚
优先权 ：
CN200580034315.7
主分类号 ：
H01L29/76
IPC分类号 ：
H01L29/76
法律状态
2021-09-14 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 29/76
申请日 : 20051004
授权公告日 : 20111102
终止日期 : 20201004
申请日 : 20051004
授权公告日 : 20111102
终止日期 : 20201004
2011-11-02 ：
授权
2008-02-13 ：
实质审查的生效
2007-12-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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