一种低密勒电容的VDMOS器件
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种低密勒电容的VDMOS器件结构，属于功率半导体器件技术领域。本发明提出的一种低密勒电容VDMOS器件，通过将多晶硅电极区进行不同类型掺杂，以PN结自隔离的方法将其分为三段，将与JFET区交叠的部分和金属化源极短接，从而使得栅漏的交叠面积大大减小，实现了对密勒电容的有效降低。另外通过在JFET区顶部引入高掺杂区以弥补导通电阻的增大。因此，本发明结构在保证VDMOS原有的基本电学性能的基础上，有效地降低了密勒电容，减小了器件的开关损耗。
基本信息
专利标题 ：
一种低密勒电容的VDMOS器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114361239A
申请号 ：
CN202111682678.9
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
高巍李曦周春颖任敏叶钰麒张波
申请人 ：
电子科技大学
申请人地址 ：
四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号
代理机构 ：
成都点睛专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
敖欢
优先权 ：
CN202111682678.9
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/417 H01L29/423 H01L29/78
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20211231
申请日 : 20211231
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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