一种可以消除密勒电容影响的快速光电耦合器
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摘要
本实用新型公开了一种可以消除密勒电容影响的快速光电耦合器,其包括光耦输入电路、晶体管光电耦合器电路、射极跟随器电路、射极跟随器基极偏压产生电路、偏压稳定电路、负载电阻RL电路,输入信号通过所述光耦输入电路电阻RV进入所述晶体管光电耦合器电路,所述射极跟随器电路由晶体管T2构成,所述晶体管光电耦合器电路TIL111的内部晶体管T1的集电极连接晶体管T2的发射极,12V电源依次通过电阻R1、R2连接工作地构成所述射极跟随器基极偏压产生电路,电阻R1、R2的连接点与晶体管T2的基极相连,电容电解C1构成所述偏压稳定电路,通过调节T2的基极偏压,使光电管的集电极电位保持恒定,从而消除了密勒效应。
基本信息
专利标题 :
一种可以消除密勒电容影响的快速光电耦合器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202020503573.7
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-04-09
授权号 :
CN211656113U
授权日 :
2020-10-09
发明人 :
崔建国宁永香崔建峰崔燚李光序
申请人 :
山西工程技术学院;崔建国
申请人地址 :
山西省阳泉市开发区学院路1号
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN202020503573.7
主分类号 :
H03K17/78
IPC分类号 :
H03K17/78
法律状态
2020-10-09 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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