一种可以消除密勒电容影响的快速光电耦合器
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摘要
本实用新型公开了一种可以消除密勒电容影响的快速光电耦合器，其包括光耦输入电路、晶体管光电耦合器电路、射极跟随器电路、射极跟随器基极偏压产生电路、偏压稳定电路、负载电阻RL电路，输入信号通过所述光耦输入电路电阻RV进入所述晶体管光电耦合器电路,所述射极跟随器电路由晶体管T2构成，所述晶体管光电耦合器电路TIL111的内部晶体管T1的集电极连接晶体管T2的发射极，12V电源依次通过电阻R1、R2连接工作地构成所述射极跟随器基极偏压产生电路，电阻R1、R2的连接点与晶体管T2的基极相连，电容电解C1构成所述偏压稳定电路，通过调节T2的基极偏压，使光电管的集电极电位保持恒定，从而消除了密勒效应。
基本信息
专利标题 ：
一种可以消除密勒电容影响的快速光电耦合器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020503573.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-09
授权号 ：
CN211656113U
授权日 ：
2020-10-09
发明人 ：
崔建国宁永香崔建峰崔燚李光序
申请人 ：
山西工程技术学院;崔建国
申请人地址 ：
山西省阳泉市开发区学院路1号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202020503573.7
主分类号 ：
H03K17/78
IPC分类号 ：
H03K17/78
法律状态
2020-10-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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