超强电容耦合结构
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摘要
本实用新型公开了超强电容耦合结构，属于电容耦合领域。超强电容耦合结构，包括主体，所述主体内设有腔体，所述腔体内连接有十字形杆，所述十字形杆上设有卡槽，所述卡槽内连接有绝缘包覆电容铜线；所述腔体的内壁还分别固定连接有第一谐振柱和第二谐振柱，所述第一谐振柱上焊接有铜丝，所述绝缘包覆电容铜线包裹在铜丝的外壁，所述铜丝远离第一谐振柱的一端与第二谐振柱相配合；所述主体的侧壁还分别固定连接有输入接头和输出接头，所述输入铜片与输入接头相配合，所述输出铜片与输出接头相配合；本实用新型解决了单腔小很难实现强容性耦合零点的问题，结构简单易于实现，尺寸易于控制，成本低廉，且可调节范围大等优点。
基本信息
专利标题 ：
超强电容耦合结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021875277.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-01
授权号 ：
CN212342783U
授权日 ：
2021-01-12
发明人 ：
史作毅梁文超汪亭
申请人 ：
苏州诺泰信通讯有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市太仓市科教新城健雄路20号
代理机构 ：
北京集智东方知识产权代理有限公司
代理人 ：
吴倩
优先权 ：
CN202021875277.6
主分类号 ：
H01P1/207
IPC分类号 ：
H01P1/207 H01P7/00
法律状态
2021-01-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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