电容耦合结构和介质滤波器
授权
摘要
本实用新型公开了一种电容耦合结构,包括两个介质谐振器,每个介质谐振器均包括由固态介电材料制成的本体和位于本体第一表面的调试孔;负耦合带,其位于两个介质谐振器连接位置的本体第二表面;绝缘带,其位于两个介质谐振器连接位置的本体第二表面;以及,覆盖介质谐振器本体表面、调试孔表面、负耦合带表面的金属化导电层;绝缘带隔断负耦合带表面和谐振器本体表面的金属导电层;负耦合带用于实现两个介质谐振器之间的电容耦合。本实用新型的电容耦合结构和介质滤波器,解决了现有的实心介质谐振器之间电容耦合量调试难度大的问题。
基本信息
专利标题 :
电容耦合结构和介质滤波器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921096696.7
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-07-12
授权号 :
CN210074110U
授权日 :
2020-02-14
发明人 :
刘亚东
申请人 :
苏州捷频电子科技有限公司
申请人地址 :
江苏省苏州市高新区科技城昆仑山路158号3幢2楼
代理机构 :
苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
苏张林
优先权 :
CN201921096696.7
主分类号 :
H01P1/20
IPC分类号 :
H01P1/20
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法律状态
2020-02-14 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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