负耦合结构和介质滤波器

授权

摘要

本实用新型公开了一种负耦合结构，包括两个介质谐振器，每个介质谐振器包括由固态介电材料制成的本体和位于本体表面的调试孔；负耦合孔，其位于两个介质谐振器连接位置的本体第一表面，负耦合孔的深度小于两个介质谐振器的调试孔的深度；负耦合槽，其位于两个介质谐振器连接位置的本体第二表面；负耦合量调试部，其所处的位置与两个介质谐振器相接；以及，覆盖介质谐振器本体表面、调试孔表面、负耦合孔表面、负耦合槽表面和负耦合量调试部表面的金属化导电层；负耦合孔和负耦合槽配合实现两个介质谐振器之间的负耦合；负耦合量调试部用于调节负耦合的耦合量。本实用新型的负耦合结构和介质滤波器解决了实心介质谐振器之间的负耦合调试负耦合量困难的问题。

基本信息

专利标题：

负耦合结构和介质滤波器

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921096679.3

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-07-12

授权号：

CN210074109U

授权日：

2020-02-14

发明人：

刘亚东

申请人：

苏州捷频电子科技有限公司

申请人地址：

江苏省苏州市高新区科技城昆仑山路158号3幢2楼

代理机构：

苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

苏张林

优先权：

CN201921096679.3

主分类号：

H01P1/20

IPC分类号：

H01P1/20