一种电容耦合结构及应用该结构的介质滤波器
授权
摘要
本实用新型涉及一种电容耦合结构及应用该结构的介质滤波器。电容耦合结构设置在至少两介质谐振器上，设两个介质谐振器为一个单元；在一个单元上的两个介质谐振器本体上均开设有调试孔，所述调试孔为盲孔；还形成有以下结构，在相邻两个介质谐振器连接位置的本体的上表面和下表面分别开设有至少一个负耦合孔，所述负耦合孔为盲孔，各负耦合孔的深度均不大于所述调试孔的深度。本实用新型通过对调试孔和负耦合孔的合理设置，使得本实用新型的电容耦合结构的耦合系数可调范围更大，技术应用范围可以更广，同时便于后期调试，具有很好的市场应用前景。
基本信息
专利标题 ：
一种电容耦合结构及应用该结构的介质滤波器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921182887.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-25
授权号 ：
CN210443647U
授权日 ：
2020-05-01
发明人 ：
陈建新严格秦伟严盛喜杨安岗汪玮玺王猛赵俊
申请人 ：
江苏江佳电子股份有限公司;扬州江嘉科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省扬州市江都区邵伯镇甘棠路88号
代理机构 ：
北京连和连知识产权代理有限公司
代理人 ：
奚衡宝
优先权 ：
CN201921182887.5
主分类号 ：
H01P1/20
IPC分类号 ：
H01P1/20
法律状态
2020-05-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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