去耦合电容电路结构
授权
摘要
本实用新型涉及集成电路设计技术领域，公开了一种去耦合电容电路结构，本实用新型包括PMOS管、NMOS管、第一多晶硅层、第二多晶硅层、第一至第四金属层及第一、第二基准多晶硅；PMOS管具有第一有源区、第一衬底以及第一栅极接触孔，第一有源区内设有第一源极接触孔阵列、第一栅极区和第一漏极接触孔阵列；NMOS管具有第二有源区、第二衬底以及第二栅极接触孔，第二有源区内设有第二源极接触孔阵列、第二栅极区及第二漏极接触孔阵列。本实用新型利用多晶硅层作为MOS管的栅极多晶硅结构，并使基准多晶硅并入到对应的多晶硅层，能够降低寄生电阻值；将金属层覆盖在对应的衬底、多晶硅层和基准多晶硅上，扩大接触面积，能够降低寄生电阻值且提高寄生电容值。
基本信息
专利标题 ：
去耦合电容电路结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122278280.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-09-18
授权号 ：
CN216488070U
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
熊剑锋刘斌
申请人 ：
珠海妙存科技有限公司
申请人地址 ：
广东省珠海市横琴新区宝华路6号105室-40471（集中办公区）
代理机构 ：
广州嘉权专利商标事务所有限公司
代理人 ：
郑晨鸣
优先权 ：
CN202122278280.0
主分类号 ：
H01L29/423
IPC分类号 ：
H01L29/423 H01L23/52 H01L27/088
法律状态
2022-05-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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