具有减小的栅极－源极/漏极电容的半导体晶体管

专利权的终止

摘要

一种新颖半导体结构及形成该结构的方法。半导体结构包括(a)栅极层，(b)在栅极层上的栅极介质层，(c)在栅极介质层上的半导体层。半导体层通过栅极介质层与栅极层电绝缘。半导体层包括(i)与栅极介质层直接物理接触的第一和第二沟道区域，以及(ii)第一，第二和第三源极/漏极区域。第一沟道区域设置在第一和第二源极/漏极区域之间并与之直接物理接触。第二沟道区域设置在第二和第三源极/漏极区域之间并与之直接物理接触。第一，第二和第三源极/漏极区域在栅极层正上方。

基本信息

专利标题：

具有减小的栅极－源极/漏极电容的半导体晶体管

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1812125A

申请号：

CN200510115136.8

公开（公告）日：

2006-08-02

申请日：

2005-11-10

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

朱慧珑

申请人：

国际商业机器公司

申请人地址：

美国纽约

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

于静

优先权：

CN200510115136.8

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78 H01L21/336