本发明公开了一次光刻制作HEMT的栅极、源极和漏极的方法，而本申请通过一次光刻形成源极开槽、栅极开槽和漏极开槽，接着在栅极开槽处设置光刻胶，然后再沉积第一金属层以此形成源极后漏极的接触层，与此同时由于光刻胶的设置使得栅极开槽位置的金属沉积是沉积在光刻胶上并不会沉积到栅极开槽位置，再然后将光刻胶进行湿法去除，最后在栅极开槽处形成栅极接触层，以此通过光刻步骤同时形成源级、漏极和栅极的开槽，对于栅极关键尺寸，栅极到源、漏极的关键距离等通过光刻完成，避免使用传统集成工艺的多次光刻带来的对准误差，从而实现了高电子迁移率晶体管可以更加小型化，提高其射频性能效果。