半导体器件中的不对称的源极和漏极结构
授权
摘要
本发明实施例提供了具有不对称的源极/漏极结构的半导体器件和形成方法。在一个实例中，半导体器件包括位于衬底上的第一组鳍结构上的第一组源极/漏极结构、位于衬底上的第二组鳍结构上的第二组源极/漏极结构、以及分别位于第一组鳍结构和第二组鳍结构上方的第一栅极结构和第二栅极结构，第一组源极/漏极结构和第二组源极/漏极结构分别靠近第一栅极结构和第二栅极结构，其中，位于第一组鳍结构上的第一组源极/漏极结构具有第一垂直高度的第一源极/漏极结构，其中，第一垂直高度不同于位于第二组鳍结构上的第二组源极/漏极结构的第二源极/漏极结构的第二垂直高度。本发明实施例涉及半导体器件中的不对称的源极和漏极结构。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件中的不对称的源极和漏极结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109994541A
申请号 ：
CN201811381368.1
公开（公告）日 ：
2019-07-09
申请日 ：
2018-11-20
授权号 ：
CN109994541B
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
黄玉莲王鹏
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹
代理机构 ：
北京德恒律治知识产权代理有限公司
代理人 ：
章社杲
优先权 ：
CN201811381368.1
主分类号 ：
H01L29/417
IPC分类号 ：
H01L29/417 H01L21/336 H01L29/78
法律状态
2022-05-13 ：
授权
2019-08-02 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/417
申请日 : 20181120
申请日 : 20181120
2019-07-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
