一种轻掺杂源极区分裂栅结构的半导体功率器件
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摘要
本实用新型公开了一种轻掺杂源极区分裂栅结构的半导体功率器件，该器件包括：P型重掺杂衬底，P型重掺杂衬底上的P型漂移区，P型漂移区上的N型区，N型区上的P型轻掺杂区，P型轻掺杂区上的P型重掺杂源区，在P型轻掺杂区中间设有贯穿N型区并延伸至P型漂移区的栅结构，在栅结构中的两个控制栅和一个屏蔽栅，栅结构用高K绝缘材料，两个控制栅用多晶硅材料，一个屏蔽栅用导电材料，P型重掺杂源区引出源极，两个控制栅引出栅极，P型重掺杂衬底下表面引出漏极。该器件通过P型轻掺杂区的P型掺杂元素、剂量和区域减小沟道比导通电阻，P型轻掺杂区可以防止热退化效应和改善源漏间沟道漏电流效应。通过分裂栅结构可以提高该器件的开关速度。
基本信息
专利标题 ：
一种轻掺杂源极区分裂栅结构的半导体功率器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021866641.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-31
授权号 ：
CN213071149U
授权日 ：
2021-04-27
发明人 ：
陈利陈译陈彬
申请人 ：
厦门芯一代集成电路有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市中国(福建)自由贸易试验区厦门片区港中路1736号205-1单元
代理机构 ：
厦门荔信航知专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
苏娟
优先权 ：
CN202021866641.2
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/423 H01L29/08
法律状态
2021-04-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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