实现补偿杂质区的方法和半导体器件结构
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明公开了实现当栅极长度增加时产生更多补偿掺杂的补偿注入的方法和所得结构。具体地说，本发明在镶嵌工艺期间通过栅极开口实施倾斜补偿注入，以使补偿杂质的浓度随栅极长度的增加而增加。以这种方式，较长器件的阈值电压的减小远大于较短器件的阈值电压的减小，由此在不影响较短器件的阈值电压的情况下将较长器件的阈值电压减小到可接受的水平。本发明尤其适用于超陡峭倒退阱。
基本信息
专利标题 ：
实现补偿杂质区的方法和半导体器件结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1825552A
申请号 ：
CN200610000591.8
公开（公告）日 ：
2006-08-30
申请日 ：
2006-01-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
O·多库马奇
申请人 ：
国际商业机器公司
申请人地址 ：
美国纽约
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
于静
优先权 ：
CN200610000591.8
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L21/265 H01L29/78
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2009-06-17 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-10-25 ：
实质审查的生效
2006-08-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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