半导体器件包括:半导体衬底，其包括前侧、后侧、漂移层和在前侧与漂移层之间且与漂移层形成pn结的本体层，前金属化部布置在前侧上且与本体层欧姆连接，后金属化部布置在后侧上且与漂移层欧姆连接；和至少一个IGBT单元区和与其相邻的至少一个续流二极管区。IGBT单元区包括与栅极金属化部欧姆连接且与半导体衬底电绝缘的栅电极。续流二极管区包括与前金属化部欧姆连接且与半导体衬底和栅电极隔开的场电极。当从第一竖直截面看时，栅电极布置在穿过本体层的第一沟槽中。当从第二竖直截面看时，场电极布置在穿过本体层的第二沟槽中。当在与前侧平行的水平面上的正交投影中看时，场电极为第二条形，而栅电极为在第二条形的虚拟延伸部分中的第一条形。