半导体器件
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种集成电路，其中，双极晶体管(1)和CMOS晶体管(2、3)在衬底上同时形成。CMOS晶体管的栅(11、21)与双极晶体管的发射极(29)用同一材料形成，双极器件的基极接触由相当于n阱MOS管的源、漏区(17、18)的区域(27、27a)构成，并由基区注入(28)桥接。增加两次光刻掩膜及一次基区注入改进了普通的CMOS工艺。一次光刻步骤决定(28)的范围，另一次光刻步骤决定氧化层(30)在(28)上的范围。基极接触用半自对准的方法产生。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN86101789A
申请号 ：
CN86101789.7
公开（公告）日 ：
1986-11-19
申请日 ：
1986-03-19
授权号 ：
CN1004593B
授权日 ：
1989-06-21
发明人 ：
彼得·丹尼斯·斯科维尔彼得·弗里德·布洛姆利罗格·莱斯利·巴克
申请人 ：
标准电话电报公共有限公司
申请人地址 ：
英国伦敦
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
王以平
优先权 ：
CN86101789.7
主分类号 ：
H01L27/06
IPC分类号 ：
H01L27/06 H01L21/72 H01L29/70 H01L29/78
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/06
在非重复结构中包括有多个单个组件的
法律状态
1995-05-10 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1990-03-14 ：
授权
1989-06-21 ：
审定
1987-11-04 ：
实质审查请求
1986-11-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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