互补半导体器件
专利权的终止专利权有效期届满
摘要
一具有n型和P型陷井区的单片互补半导体器件，其n型和P型陷井区是由介电隔离区从表面延伸到衬底分离开的。陷井区包括在其底部的高掺杂的埋层区，并将陷井中的有源区与衬底区分离开。隔离区比埋层区深。陷井到陷井的隔离是由埋层区和深解电隔离区的结合增强的，封装密度和工作速度也可得到改善。
基本信息
专利标题 ：
互补半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85108969A
申请号 ：
CN85108969.0
公开（公告）日 ：
1986-05-10
申请日 ：
1985-10-16
授权号 ：
CN1004736B
授权日 ：
1989-07-05
发明人 ：
渡边笃雄长野隆洋池田隆英门马直弘斋藤隆一
申请人 ：
株式会社日立制作所
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
赵越
优先权 ：
CN85108969.0
主分类号 ：
H01L29/28
IPC分类号 ：
H01L29/28 H01L29/72 H01L27/06
法律状态
2001-06-06 ：
专利权的终止专利权有效期届满
1990-03-07 ：
授权
1989-07-05 ：
审定
1986-05-10 ：
实质审查请求
1986-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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