MIS半导体器件和互补MIS半导体器件
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
用半导体衬底以及提供在半导体衬底上的p型MIS晶体管和n型MIS晶体管，制作了一种MIS型半导体器件，此p型MIS晶体管包括由锗以及选自钽、钒、铌的一种元素所构成的栅电极。
基本信息
专利标题 ：
MIS半导体器件和互补MIS半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1838430A
申请号 ：
CN200610059212.2
公开（公告）日 ：
2006-09-27
申请日 ：
2006-03-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
土屋义规小山正人西野弘刚
申请人 ：
株式会社东芝
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
王永刚
优先权 ：
CN200610059212.2
主分类号 ：
H01L29/49
IPC分类号 ：
H01L29/49 H01L29/78 H01L27/092
法律状态
2009-04-22 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-11-22 ：
实质审查的生效
2006-09-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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