半导体器件的制造方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
制造在半导体衬底上带有电容器的半导体器件的方法、该方法包括：在衬底上形成电容器下电极；在该下电极上形成第一隔离膜、选择性地腐蚀第一隔离膜以形成第一和第二开孔；在上述下电极和第一隔离膜上形成第二隔离膜；选择性腐蚀第二隔离膜以露出上述第二开孔的底部及与第二开孔周边的第一隔离膜，以及在第二开孔中形成所述电容器下电极的接触电极。$#!
基本信息
专利标题 ：
半导体器件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1171628A
申请号 ：
CN97101033.1
公开（公告）日 ：
1998-01-28
申请日 ：
1994-03-26
授权号 ：
CN1077726C
授权日 ：
2002-01-09
发明人 ：
平井健裕田中光男堀敦下村浩堀川良彦
申请人 ：
松下电器产业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
王以平
优先权 ：
CN97101033.1
主分类号 ：
H01L27/06
IPC分类号 ：
H01L27/06
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/06
在非重复结构中包括有多个单个组件的
法律状态
2005-05-25 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
2002-01-09 ：
授权
1998-01-28 ：
公开
1998-01-07 ：
实质审查请求的生效
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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