与BiCMOS兼容的JFET器件及其制造方法

专利权的终止

摘要

公开了一种包括源极和漏极区(17、18)的与BiCMOS兼容的JFET器件，以与用于形成发射极外扩散或垂直双极型器件相同的方式形成所述源极和漏极，其中，形成双极型器件中的发射极帽的半导体层形成了JFET器件的沟道(16)，以及形成双极型器件的本征基极区的材料层(即，基极epi－叠层)形成了JFET器件的本征栅极区(14)。结果，可以在标准BiCMOS工艺中实现JFET器件的集成，而无需任何附加掩模或其他处理步骤。

基本信息

专利标题：

与BiCMOS兼容的JFET器件及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101040377A

申请号：

CN200580035042.8

公开（公告）日：

2007-09-19

申请日：

2005-10-13

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

普拉巴特·阿加瓦尔扬·W·斯洛特布曼韦伯·D·范诺尔特

申请人：

皇家飞利浦电子股份有限公司

申请人地址：

荷兰艾恩德霍芬

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

朱进桂

优先权：

CN200580035042.8

主分类号：

H01L21/8248

IPC分类号：

H01L21/8248 H01L27/098 H01L27/06

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/70

由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

H01L21/77

在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理

H01L21/78

把衬底连续地分成多个独立的器件

H01L21/82

制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路

H01L21/822

衬底是采用硅工艺的半导体的

H01L21/8248

双极和场效应工艺的结合

法律状态

2015-12-09 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101636686245
IPC(主分类) : H01L 21/8248
专利号 : ZL2005800350428
申请日 : 20051013
授权公告日 : 20090729
终止日期 : 20141013

2009-07-29 ：

授权

2008-04-09 ：

专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)

变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 皇家飞利浦电子股份有限公司
变更后权利人 : NXP股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 荷兰艾恩德霍芬
变更后权利人 : 荷兰艾恩德霍芬
登记生效日 : 20080307

2007-12-19 ：

实质审查的生效

2007-09-19 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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