晶体管源极/漏极触点
公开
摘要
本文公开了晶体管源极/漏极触点及其相关的方法和装置。例如，在一些实施例中，晶体管可以包括沟道和源极/漏极触点，其中所述源极/漏极触点包括界面材料和体材料，所述体材料具有与所述界面材料不同的材料组分，所述界面材料位于所述体材料和所述沟道之间，所述界面材料包括铟以及与铟不同的元素，所述元素是铝、钒、锆、镁、镓、铪、硅、镧、钨或镉。
基本信息
专利标题 ：
晶体管源极/漏极触点
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114597255A
申请号 ：
CN202111304005.X
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2021-11-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
C-J·古K·萨瑟恩A·巴兰P-h·王B·塞尔
申请人 ：
英特尔公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
林金朝
优先权 ：
CN202111304005.X
主分类号 ：
H01L29/417
IPC分类号 ：
H01L29/417 H01L29/786 H01L27/108
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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