应变硅CMOS晶体管的原位掺杂硅锗与碳化硅源漏极区
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种用于形成半导体IC器件的方法。该方法包括提供半导体衬底；在衬底上形成电介质层；在电介质层上形成栅极层；对栅极层图案化以形成含有边缘的栅极结构；在栅极结构上形成电介质层以保护栅极结构。在实施例中，使用部分电介质层形成侧壁隔离物。该方法使用电介质层作为保护层，邻近栅极结构来刻蚀源极/漏极区。在优选实施例中，使用选择性外延生长将硅锗材料沉积到源极/漏极区中以填充源极/漏极区，以及在沉积硅锗材料时的一部分时间期间，将掺杂剂引入硅锗材料中，以在沉积硅锗材料时的一部分时间期间掺杂硅锗材料。在实施例中，所述方法还包括：至少由形成在源极/漏极区中的硅锗材料来使源极区和漏极区之间的沟道区处于压缩应变之下。
基本信息
专利标题 ：
应变硅CMOS晶体管的原位掺杂硅锗与碳化硅源漏极区
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1941296A
申请号 ：
CN200510030308.1
公开（公告）日 ：
2007-04-04
申请日 ：
2005-09-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
莫鸿翔陈军朱蓓高大为吴汉明
申请人 ：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址 ：
201203上海市浦东新区张江路18号
代理机构 ：
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
王怡
优先权 ：
CN200510030308.1
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L21/8238
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2009-03-11 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-05-30 ：
实质审查的生效
2007-04-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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