以深碳掺杂区和掺杂施主的凸起源和漏区为特征的应变的NMO...
授权
摘要
本发明的一些实施例包括提供碳掺杂区和凸起的源/漏区以在NMOS晶体管沟道中提供张应力。
基本信息
专利标题 :
以深碳掺杂区和掺杂施主的凸起源和漏区为特征的应变的NMOS晶体管
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1828934A
申请号 :
CN200510048392.X
公开(公告)日 :
2006-09-06
申请日 :
2005-12-16
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
M·哈滕多夫J·黄A·穆蒂A·维斯特迈尔
申请人 :
英特尔公司
申请人地址 :
美国加利福尼亚州
代理机构 :
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 :
梁永
优先权 :
CN200510048392.X
主分类号 :
H01L29/78
IPC分类号 :
H01L29/78 H01L29/02 H01L21/336 H01L21/24
法律状态
2009-10-14 :
授权
2006-10-25 :
实质审查的生效
2006-09-06 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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