用于应变硅MOS晶体管的多晶硅栅极掺杂方法和结构
专利申请权、专利权的转移
摘要
本发明提供了一种制造具有含应变硅区域的集成电路的方法。该方法在MOS器件的源极区、漏极区和栅极结构上形成具有初始厚度的材料覆盖层，以遮盖栅极结构的上表面，包括硬掩模层，由该覆盖层形成基本上平坦化的表面区域。该方法除去了部分初始厚度的覆盖层，以除去硬掩模并且暴露栅极结构的部分。在一个优选的实施方式中，该部分的栅极结构基本上是多晶硅材料。该方法利用至少注入工艺将掺杂剂杂质引入栅极结构的该部分内，以掺杂栅极结构，同时保持源极区和栅极区不含掺杂剂杂质。
基本信息
专利标题 ：
用于应变硅MOS晶体管的多晶硅栅极掺杂方法和结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1959958A
申请号 ：
CN200510110069.0
公开（公告）日 ：
2007-05-09
申请日 ：
2005-10-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
宁先捷朱蓓
申请人 ：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址 ：
201203上海市浦东新区张江路18号
代理机构 ：
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
肖善强
优先权 ：
CN200510110069.0
主分类号 ：
H01L21/8238
IPC分类号 ：
H01L21/8238 H01L21/336
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8238
互补场效应晶体管，例如CMOS
法律状态
2012-01-04 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101260313357
IPC(主分类) : H01L 21/8238
专利号 : ZL2005101100690
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201203 上海市浦东新区张江路18号
变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区张江路18号
变更事项 : 共同专利权人
变更前权利人 : 无
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
登记生效日 : 20111129
号牌文件序号 : 101260313357
IPC(主分类) : H01L 21/8238
专利号 : ZL2005101100690
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201203 上海市浦东新区张江路18号
变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区张江路18号
变更事项 : 共同专利权人
变更前权利人 : 无
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
登记生效日 : 20111129
2010-05-05 ：
授权
2007-07-04 ：
实质审查的生效
2007-05-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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