改进CMOS晶体管中的掺杂剂分布的系统和方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
根据本发明的一个实施方式，形成半导体器件的方法包括在半导体本体(14)的外表面上形成栅叠层(22)。第一和第二侧壁体(34)形成于所述栅叠层的相对侧上。第一凹槽(36a)形成于所述栅叠层的栅极导体(24)的外表面上，并且当所述第一凹槽形成之后第一掺杂剂(40)被注入到所述栅叠层中。所述第一掺杂剂从限定所述第一凹槽的栅叠层的外表面向内扩散。所述第一掺杂剂朝该栅叠层和该半导体本体之间的界面扩散。所述第一凹槽提高了在该界面处的所述第一掺杂剂的浓度。
基本信息
专利标题 ：
改进CMOS晶体管中的掺杂剂分布的系统和方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101099233A
申请号 ：
CN200580046343.0
公开（公告）日 ：
2008-01-02
申请日 ：
2005-11-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
P·奇丹巴拉姆S·查克拉瓦蒂
申请人 ：
德克萨斯仪器股份有限公司
申请人地址 ：
美国德克萨斯州
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
赵蓉民
优先权 ：
CN200580046343.0
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2009-11-04 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-02-27 ：
实质审查的生效
2008-01-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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