用于CMOS工艺的金属栅极晶体管及其制造方法
专利权的终止
摘要
一种形成半导体器件(100)的方法，包括具有第一区域(104)的半导体衬底、在所述第一区域上形成栅极电介质(108)、在所述栅极电介质上形成导电金属氧化物(110)、在所述导电金属氧化物上形成抗氧化屏障层(111)和在所述抗氧化屏障层上形成覆盖层(116)。在一种实施方式中，所述导电金属氧化物是IrO2、MoO2和RuO2，而所述抗氧化屏障层包括TiN。
基本信息
专利标题 ：
用于CMOS工艺的金属栅极晶体管及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101091244A
申请号 ：
CN200580041206.8
公开（公告）日 ：
2007-12-19
申请日 ：
2005-12-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
詹姆斯·K.·谢弗三世奥路班密·O.·艾蒂图图
申请人 ：
飞思卡尔半导体公司
申请人地址 ：
美国得克萨斯
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
杜娟
优先权 ：
CN200580041206.8
主分类号 ：
H01L21/8238
IPC分类号 ：
H01L21/8238
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8238
互补场效应晶体管，例如CMOS
法律状态
2018-12-11 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/8238
申请日 : 20051216
授权公告日 : 20090429
终止日期 : 20171216
申请日 : 20051216
授权公告日 : 20090429
终止日期 : 20171216
2009-04-29 ：
授权
2008-02-13 ：
实质审查的生效
2007-12-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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