基于金属栅极工艺的低成本闪速存储器制造流程
授权
摘要
在所描述的示例中，集成电路(100)包含闪速单元(106)，其中感测晶体管(108)的顶部栅极(136)是在浮栅(130)上方的金属感测栅极(106)。感测晶体管(108)的源极/漏极区(138)在浮栅(130)下方延伸使得源极区与漏极区隔开小于200纳米的感测沟道长度(126)。浮栅(130)的宽度至少为400纳米，则感测晶体管(108)的源极/漏极区(138)在浮栅(130)下方在每侧上延伸至少100纳米。在形成浮栅(130)之前，通过形成感测晶体管源极区和漏极区(138)来形成集成电路(100)。
基本信息
专利标题 ：
基于金属栅极工艺的低成本闪速存储器制造流程
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN107924921A
申请号 ：
CN201680045464.1
公开（公告）日 ：
2018-04-17
申请日 ：
2016-08-05
授权号 ：
CN107924921B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
N·谭W·田
申请人 ：
德克萨斯仪器股份有限公司
申请人地址 ：
美国德克萨斯州
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐东升
优先权 ：
CN201680045464.1
主分类号 ：
H01L27/11521
IPC分类号 ：
H01L27/11521 H01L21/266 H01L21/336
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
H01L27/115
电动编程只读存储器；其多步骤制造方法
H01L27/11517
具有浮栅的
H01L27/11521
以存储器核心区为特征的
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2018-07-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/11521
申请日 : 20160805
申请日 : 20160805
2018-04-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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