PMOS高K金属栅极
公开
摘要
公开金属栅极堆叠结构和形成金属栅极堆叠结构的整合的方法。一些实施方式包含MoN作为PMOS功函数材料。一些实施方式包含TiSiN作为高κ覆盖层。一些实施方式提供增进的PMOS带边缘性能。一些实施方式提供增进的PMOS带边缘性能伴随减小的EOT减损。
基本信息
专利标题 ：
PMOS高K金属栅极
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114616680A
申请号 ：
CN202080076754.9
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2020-11-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨逸雄杰奎琳·S·阮奇斯里尼瓦斯·甘迪科塔林永景史蒂文·C.H·洪陈世忠沙浩燕林志周
申请人 ：
应用材料公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京律诚同业知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐金国
优先权 ：
CN202080076754.9
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/28 H01L21/67 H01L29/49 H01L29/51
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
