功函数金属栅极装置
实质审查的生效
摘要
本发明公开一种功函数金属栅极装置，包含一栅极、一漂移区、一源极、一漏极以及一第一绝缘结构。栅极设置于一基底上，其中栅极包含一中突的阶梯状功函数金属堆叠结构或者一中凹的阶梯状功函数金属堆叠结构。漂移区设置于栅极的一部分下方的基底中。源极位于基底中，以及漏极位于栅极侧边的漂移区中。第一绝缘结构设置于栅极以及漏极之间的漂移区中。
基本信息
专利标题 ：
功函数金属栅极装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114464678A
申请号 ：
CN202011244345.3
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2020-11-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄志文黄士安
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陈小雯
优先权 ：
CN202011244345.3
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/423
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20201110
申请日 : 20201110
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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