用于抑制短沟道效应的T形栅极及其制造工艺
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摘要
本发明公开了一种用于抑制短沟道效应的T形栅极及其制造工艺，包括：在势垒层上形成第一光刻胶层；在第一光刻胶层上沉积第一金属层；在第一金属层上形成第二光刻胶层；在第二光刻胶层上沉积第二金属层；进行电子束光刻，形成第一区域；进行干法刻蚀，在第一区域的底面上形成势垒凹槽；对势垒凹槽进行栅金属沉积形成第一结构，第一结构包括T型栅；对第一结构进行剥离，得到凹槽型浮空T型栅。本发明实施例通过设置第一金属层和第二金属层，可以避免第一光刻胶层与第二光刻胶层之间发生互溶，并且金属层能够释放电子束光刻中剩余的电荷，消除对曝光图像的不利影响，从而形成形貌规整的T型栅，有效地抑制栅极寄生电容，有效的提高饱和电流截止频率fT。
基本信息
专利标题 ：
用于抑制短沟道效应的T形栅极及其制造工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110544625A
申请号 ：
CN201910677844.2
公开（公告）日 ：
2019-12-06
申请日 ：
2019-07-25
授权号 ：
CN110544625B
授权日 ：
2022-04-22
发明人 ：
马晓华张鹏孙保全宓珉翰
申请人 ：
西安电子科技大学
申请人地址 ：
陕西省西安市太白南路2号
代理机构 ：
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张捷
优先权 ：
CN201910677844.2
主分类号 ：
H01L21/28
IPC分类号 ：
H01L21/28 H01L29/423
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
法律状态
2022-04-22 ：
授权
2019-12-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/28
申请日 : 20190725
申请日 : 20190725
2019-12-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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