一种区熔炉气相掺杂管路系统
专利申请权、专利权的转移
摘要
本实用新型提供了一种区熔炉气相掺杂管路系统,包括相互独立的工型掺杂气路和π型掺杂气路;两气路的保护气进气口均通过气路选择阀一与保护气气源连接,两气路的掺杂气进气口均通过气路选择阀二与掺杂气气源连接;两条气路的出气口均通过气路选择阀三与区熔炉内腔连通;两气路的排气口均通过气路选择阀四与压力控制器连接;通过控制系列气路选择阀可实现工型掺杂气路和π型掺杂气路的打开和关闭。本实用新型所述的区熔炉气相掺杂管路系统通过一系列气路选择阀将两条气路隔离,通过控制气路选择阀的启闭,实现工型掺杂气路和π型掺杂气路的自由切换,无需频繁拆卸和安装管道,解决了浪费工时和引入空气、粉尘等污染物的问题。
基本信息
专利标题 :
一种区熔炉气相掺杂管路系统
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921615639.5
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-09-26
授权号 :
CN210826445U
授权日 :
2020-06-23
发明人 :
刘凯吴磊王遵义万静郝大维孙健谭永麟
申请人 :
天津中环领先材料技术有限公司
申请人地址 :
天津市滨海新区高新区华苑产业区(环外)海泰东路12号内
代理机构 :
天津滨海科纬知识产权代理有限公司
代理人 :
戴文仪
优先权 :
CN201921615639.5
主分类号 :
C30B29/06
IPC分类号 :
C30B29/06 C30B13/12
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/06
硅
法律状态
2022-05-13 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : C30B 29/06
登记生效日 : 20220506
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 天津中环领先材料技术有限公司
变更后权利人 : 天津中环领先材料技术有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 300384 天津市滨海新区高新区华苑产业区(环外)海泰东路12号内
变更后权利人 : 300384 天津市滨海新区高新区华苑产业园区(环外)海泰东路12号
变更事项 : 专利权人
变更后权利人 : 中环领先半导体材料有限公司
登记生效日 : 20220506
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 天津中环领先材料技术有限公司
变更后权利人 : 天津中环领先材料技术有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 300384 天津市滨海新区高新区华苑产业区(环外)海泰东路12号内
变更后权利人 : 300384 天津市滨海新区高新区华苑产业园区(环外)海泰东路12号
变更事项 : 专利权人
变更后权利人 : 中环领先半导体材料有限公司
2020-06-23 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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