本发明涉及一种硅单晶的制备方法，特别涉及一种用于生产太阳能硅电池的区熔气相掺杂太阳能电池硅单晶的制备方法。该方法包括设置掺杂气体设定值：首先在拉晶控制屏上打开“掺杂”界面，然后进行流量和压力调整即设定氩气，掺杂气、入炉及放空四项的设定值；拉细颈：在抽空充气过程中，调整炉膛压力；开掺杂气体：打开“掺杂”界面，将“氩气、掺杂气、入炉关闭”三项变成“氩气、掺杂气、入炉打开”。扩肩、充入氮气：当单晶的直径扩肩到Φ110mm～130mm时，立即调整阳极电压，同时还要设定下轴向下的运动速度及转动速度，此时，开始充入氮气；收尾、停炉、停掺杂气体：打开“掺杂”界面，将“氩气、掺杂气、入炉打开”三项变成“氩气、掺杂、入炉关闭”。采用该方法生产的硅单晶满足了国内外市场对低成本，高效率的太阳能硅单晶的需求。