本发明提供了一种太阳能电池制备方法以及太阳能电池，涉及太阳能光伏技术领域。其中，提供硅基底后，在硅基底的正面沉积硼硅玻璃层，并在硅基底正面预设的图形区域内涂覆刻蚀浆料，以刻蚀掉图形区域内的硼硅玻璃层，再在扩散温度下对经过刻蚀后的硅基底的正面进行硼掺杂第一工艺时间，在硅基底上形成图形区域内的第一硼掺杂浓度和图形区域外的第二硼掺杂浓度。该方法通过沉积在硅基底的正面制备硼硅玻璃层，仅需一步硼扩散即可制备图形区域内第一硼掺杂浓度、图形区域外第二硼掺杂浓度的选择性发射极结构，减少硅基底处于高温环境的时间，提高少子寿命，也避免高温应力作用下的弯曲形变，以及激光去除硼硅玻璃层对硅基底的损伤，提升电池效率。