一种太阳能电池掩膜制备方法、太阳能电池及制备工艺
实质审查的生效
摘要
本发明适用太阳能电池技术领域，提供了一种太阳能电池掩膜制备方法、太阳能电池及制备工艺，包括以下步骤：将硅片放置于含有氧气或臭氧的条件下；采用激光器在硅片表面的待制备掩膜的区域进行激光氧化形成氧化层，以在硅片表面形成由氧化层构成的图案化掩膜。本发明提供的太阳能电池掩膜制备方法利用激光器在硅片表面一步完成图案化掩膜的制备，简化了图案化掩膜制备工艺，大大提升了晶硅太阳能电池的生产效率，而且降低了晶硅太阳能电池的生产加工成本。
基本信息
专利标题 ：
一种太阳能电池掩膜制备方法、太阳能电池及制备工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496750A
申请号 ：
CN202210107070.1
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-01-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
邱开富林文杰王永谦陈刚
申请人 ：
浙江爱旭太阳能科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省金华市义乌市苏溪镇好派路655号
代理机构 ：
深圳盛德大业知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张红伟
优先权 ：
CN202210107070.1
主分类号 ：
H01L21/268
IPC分类号 ：
H01L21/268 H01L31/18 H01L21/02 H01L31/0216
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/26
用波或粒子辐射轰击的
H01L21/263
带有高能辐射的
H01L21/268
应用电磁辐射的，例如激光辐射
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/268
申请日 : 20220128
申请日 : 20220128
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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