太阳能电池的制备方法及太阳能电池
实质审查的生效
摘要
本申请提供了一种太阳能电池的制备方法与太阳能电池,所述制备方法包括对硅基底进行表面处理后,制备隧穿层与本征非晶硅层;再于所述硅基底的两侧表面制备第一掺杂源层,并设置掩膜层遮掩部分第一掺杂源层;去除硅基底背面未设置掩膜层区域的第一掺杂源层,在硅基底背面未设置掩膜层的区域制备第二掺杂源层;高温扩散使得硅基底背面形成第一掺杂层与第二掺杂层;再依次进行清洗、镀膜与金属化,得到相应的太阳能电池。上述制备方法将第一掺杂源层、第二掺杂源层在高温条件下共同扩散,便可完成第一掺杂层、第二掺杂层及前表面场层的制备,简化工艺;本申请太阳能电池将多晶硅钝化接触结构与背接触设计相结合,提高电池转换效率。
基本信息
专利标题 :
太阳能电池的制备方法及太阳能电池
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114335258A
申请号 :
CN202011016680.8
公开(公告)日 :
2022-04-12
申请日 :
2020-09-24
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
杨慧李硕李兵邓伟伟蒋方丹
申请人 :
嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
申请人地址 :
浙江省嘉兴市秀洲区高照街道康和路325号1号楼、2号楼
代理机构 :
苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
段友强
优先权 :
CN202011016680.8
主分类号 :
H01L31/20
IPC分类号 :
H01L31/20 H01L31/0224 H01L31/0216
法律状态
2022-04-29 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/20
申请日 : 20200924
申请日 : 20200924
2022-04-12 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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