本申请提供了一种太阳能电池的制备方法与太阳能电池，所述制备方法包括对硅基底进行表面处理后，制备隧穿层与本征非晶硅层；再于所述硅基底的两侧表面制备第一掺杂源层，并设置掩膜层遮掩部分第一掺杂源层；去除硅基底背面未设置掩膜层区域的第一掺杂源层，在硅基底背面未设置掩膜层的区域制备第二掺杂源层；高温扩散使得硅基底背面形成第一掺杂层与第二掺杂层；再依次进行清洗、镀膜与金属化，得到相应的太阳能电池。上述制备方法将第一掺杂源层、第二掺杂源层在高温条件下共同扩散，便可完成第一掺杂层、第二掺杂层及前表面场层的制备，简化工艺；本申请太阳能电池将多晶硅钝化接触结构与背接触设计相结合，提高电池转换效率。